【II-VI族化合物半導体の結晶成長と格子欠陥の物性・制御】

新しい半導体材料であるII-IV族化合物半導体の実用化を目的に, ZnSやZnSeなどの結晶 成長とその物性(特に電気的・光学的性質)を支配する格子欠陥の物性・制御に関する研 究を行っている.
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